型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGD10HF60KD DPAK75875-49￥13.267850-199￥12.7008200-499￥12.3833500-999￥12.30391000-2499￥12.22452500-4999￥12.13385000-7499￥12.0771≥7500￥12.0204 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGF15M65DF2 TO-220FP-368055-24￥5.872525-49￥5.437550-99￥5.1330100-499￥5.0025500-2499￥4.91552500-4999￥4.80685000-9999￥4.7633≥10000￥4.6980 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚34395-49￥12.261650-199￥11.7376200-499￥11.4442500-999￥11.37081000-2499￥11.29742500-4999￥11.21365000-7499￥11.1612≥7500￥11.1088 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGF10NC60KD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚394510-99￥9.3720100-499￥8.9034500-999￥8.59101000-1999￥8.57542000-4999￥8.51295000-7499￥8.43487500-9999￥8.3723≥10000￥8.3411 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。127610-99￥10.0200100-499￥9.5190500-999￥9.18501000-1999￥9.16832000-4999￥9.10155000-7499￥9.01807500-9999￥8.9512≥10000￥8.9178 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V,120A,IGBT带二极管38201-9￥40.101410-99￥37.8005100-249￥36.0913250-499￥35.8283500-999￥35.56531000-2499￥35.26952500-4999￥35.0066≥5000￥34.8422 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V,60A,IGBT带二极管82715-49￥19.047650-199￥18.2336200-499￥17.7778500-999￥17.66381000-2499￥17.54982500-4999￥17.41965000-7499￥17.3382≥7500￥17.2568 -
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品类: IGBT晶体管描述: HB 系列 650 V 60 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-24773245-49￥25.084850-199￥24.0128200-499￥23.4125500-999￥23.26241000-2499￥23.11232500-4999￥22.94085000-7499￥22.8336≥7500￥22.7264 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。920210-99￥7.2000100-499￥6.8400500-999￥6.60001000-1999￥6.58802000-4999￥6.54005000-7499￥6.48007500-9999￥6.4320≥10000￥6.4080 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。75355-49￥14.250650-199￥13.6416200-499￥13.3006500-999￥13.21531000-2499￥13.13002500-4999￥13.03265000-7499￥12.9717≥7500￥12.9108 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。1817 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。3306 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGW30H65FB TO-247578210-99￥11.9640100-499￥11.3658500-999￥10.96701000-1999￥10.94712000-4999￥10.86735000-7499￥10.76767500-9999￥10.6878≥10000￥10.6480 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。796910-99￥9.3480100-499￥8.8806500-999￥8.56901000-1999￥8.55342000-4999￥8.49115000-7499￥8.41327500-9999￥8.3509≥10000￥8.3197 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGW60H65DF 系列 650 V 120 A 场截止 沟道栅 IGBT - TO-247-364301-9￥54.448610-99￥51.3245100-249￥49.0037250-499￥48.6467500-999￥48.28971000-2499￥47.88802500-4999￥47.5310≥5000￥47.3078 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。45365-49￥27.951350-199￥26.7568200-499￥26.0879500-999￥25.92071000-2499￥25.75342500-4999￥25.56235000-7499￥25.4429≥7500￥25.3234 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道6A - 600V DPAK非常快的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT778620-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGE50NC60VD 单晶体管, IGBT, 90 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚10601-9￥238.360510-49￥232.142450-99￥227.3752100-199￥225.7170200-499￥224.4734500-999￥222.81531000-1999￥221.7789≥2000￥220.7426 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGF7H60DF 管装719210-99￥7.4160100-499￥7.0452500-999￥6.79801000-1999￥6.78562000-4999￥6.73625000-7499￥6.67447500-9999￥6.6250≥10000￥6.6002 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3Pin(3+Tab) TO-220FP Tube576220-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。40951-9￥248.699010-49￥242.211250-99￥237.2372100-199￥235.5071200-499￥234.2096500-999￥232.47951000-1999￥231.3982≥2000￥230.3169 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。51495-49￥21.726950-199￥20.7984200-499￥20.2784500-999￥20.14851000-2499￥20.01852500-4999￥19.86995000-7499￥19.7771≥7500￥19.6842
